对采用MOS管栅极电容存储电荷来暂存信息的动态存储器而言,存储器两遍刷新之间所允许的最长时间间隔通常

对采用MOS管栅极电容存储电荷来暂存信息的动态存储器而言,存储器两遍刷新之间所允许的最长时间间隔通常约为A.8msB.5msC.10msD.2ms

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授予专利的时候给出的编号是伤心 )

授予专利的时候给出的编号是伤心 )选择一项:A.公开号B.专利号C.发明号D.公告号

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