题目内容：
对采用MOS管栅极电容存储电荷来暂存信息的动态存储器而言，存储器两遍刷新之间所允许的最长时间间隔通常约为A.8ms
B.5ms
C.10ms
D.2ms
参考答案：
选择题：对采用MOS管栅极电容存储电荷来暂存信息的动态存储器而言，存储器两遍刷新之间所允许的最长时间间隔通常
- 题目分类：河南理工大学计算机组成与系统结构
- 题目类型：选择题
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A.8ms
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This is our-----（one）English lesson.
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授予专利的时候给出的编号是伤心 )
授予专利的时候给出的编号是伤心 )选择一项：A.公开号B.专利号C.发明号D.公告号
中国官场的腐败行为主要集中在()。A、 干预宏观经济B、 干预微观经济C、 干预选人用人D、 干预地
中国官场的腐败行为主要集中在()。A、 干预宏观经济B、 干预微观经济C、 干预选人用人D、 干预地方政策
24.
24.(1分)（）是人民军队的立军之本
若SAP与PAS恰为一真一假，则S与P的外延关系可以是（ ）
若SAP与PAS恰为一真一假，则S与P的外延关系可以是（ ） A.真包含于关系 B.真包含关系 C.全同关系 D.全异关系