题目内容：
为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（ ）。A.du/dt抑制电路
B.抗饱和电路
C.di/dt抑制电路
D.吸收电路
参考答案：
选择题：为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（ ）。A.du/dt抑制电路B.抗饱
- 题目分类：河南城建学院-电力电子技术
- 题目类型：选择题
- 查看权限：VIP
A.du/dt抑制电路
B.抗饱和电路
C.di/dt抑制电路
D.吸收电路
A.du/dt抑制电路
B.抗饱和电路
C.di/dt抑制电路
D.吸收电路
求方程dx/dy+x/y=e^xy的通解
求方程dx/dy+x/y=e^xy的通解
相位超前校正装置的奈氏曲线为（ ）A.圆B.上半圆C.下半圆D.45
相位超前校正装置的奈氏曲线为（ ）A.圆B.上半圆C.下半圆D.45
下列岩石为岩浆岩的是（）
下列岩石为岩浆岩的是（） A.灰岩B.片麻岩C.辉岩 D.泥岩
80C51的指令可分为以下几类 。
80C51的指令可分为以下几类 。A.数据传送指令B.算术运算指令C.逻辑运算指令D.控制程序转移类指令E.位操作类指令
单相半控桥式整流电路带纯电阻性负载时，晶闸管承受正向电压的最大值为( )A.12U22B.2U2C.
单相半控桥式整流电路带纯电阻性负载时，晶闸管承受正向电压的最大值为( )A.12U22B.2U2C.22U2D.6U2