选择题：为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（）。

题目内容：

为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（）。

A.du/dt抑制电路

B.抗饱和电路

C.di/dt抑制电路

D.吸收电路

参考答案：

间歇式固定床制气过程中，二次上吹阶段进行的反应是________，其目的是制备水煤气。( )A. 碳

间歇式固定床制气过程中，二次上吹阶段进行的反应是________，其目的是制备水煤气。( )A. 碳和水蒸汽的反应 B. 碳和氧气的反应 C. 碳和氮气反应

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